特許

J-GLOBAL ID：200903055861625634

プラズモン励起アシストエッチング

発明者： 湯之上 隆 ,  水谷 巽
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122522
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【構成】マイクロ波8を放電管9に導き、コイル13が作る磁場で高密度プラズマ22を発生させる。試料15に高周波印加装置19により高周波電圧を印加する。プラズマ中で発生したイオンが加速されて試料15に入射する。また、プラズマ中で発生したラジカル23も拡散によって試料15に入射する。このラジカルとイオンのアシスト反応によりエッチングが進む。ここで、SiO2 の体積プラズモン励起エネルギ25eVの整数倍の25,50,75eV,...の電子、または表面プラズモン励起エネルギ17.7eVの整数倍の88.4,106.1,123.7,141.4eV,...の電子、またはエネルギ80eVの電子を試料15に照射する。【効果】この電子により試料15表面にプラズモンが励起され、それに伴い大量の電子正孔対が発生する。この効果によって、エッチング反応が促進される。

請求項（抜粋）：

エッチングしようとする物質のプラズモン励起エネルギの整数倍のエネルギを有する電子を含む電子線をイオンまたは中性粒子と同時に照射することを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  C01B 33/12 ,  C23F 4/00 ,  C23F 4/02 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 B