特許

J-GLOBAL ID：200903055861697538

フォトレジスト用樹脂及びフォトレジスト組成物

発明者： 今村 裕治
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-023844
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231858
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】化学増幅型レジストとして、特にKrFエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、解像度、感度、耐熱性、プラズマエッチング耐性に優れ、矩形なフォトレジストパターンを再現性良く形成する特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。【解決手段】特定のフェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下で反応して得られるノボラック型フェノール樹脂中の水酸基の少なくとも一部を、酸の作用により脱離可能な基で保護したフォトレジスト用樹脂であって、フェノール類として、リモネンを出発原料とするテルペンジフェノール及びピロガロールを含有することが好ましい。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下で反応して得られるノボラック型フェノール樹脂中の水酸基の少なくとも一部を、酸の作用により脱離可能な基で保護したフォトレジスト用樹脂であって、前記フェノール類が、下記一般式(I)と(II)で表されるフェノール類をともに含有することを特徴とするフォトレジスト用樹脂。

IPC (3件)：

C08G8/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (3件)：

C08G8/10 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (33件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J033CA02 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA14 ,  4J033CA28 ,  4J033CA29 ,  4J033CA32 ,  4J033CA37 ,  4J033CA42 ,  4J033CA44 ,  4J033CB18 ,  4J033HA02 ,  4J033HA08 ,  4J033HA12 ,  4J033HA22 ,  4J033HA28 ,  4J033HB10