特許
J-GLOBAL ID：200903055865663476
セミリジッド型同軸ケーブルおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213777
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 多孔質PTFE絶縁層表面に健全な金属めっき外部導体層が形成され、かつ多孔質PTFE絶縁層表面の剛性が高められた、端末加工性に優れるセミリジッド型同軸ケーブルを提供する。【解決手段】 中心導体2の外周に被覆した未焼結の多孔質PTFE絶縁体表面を焼結して多孔質PTFE絶縁層3を設け絶縁体コア4を形成し、この絶縁体コア4の表面を短時間活性化処理した後、絶縁体コア4外周に無電解めっきアンカー金属層5aと電気めっき金属層5bを順次施して外部導体層5を設けセミリジッド型同軸ケーブル1を構成する。
請求項（抜粋）：
中心導体の外周に表面を焼結した多孔質4ふっ化エチレン樹脂絶縁層を設け、この表面焼結された多孔質4ふっ化エチレン樹脂絶縁層上に無電解めっきアンカー金属層と電気めっき金属層を順次施した外部導体層を設けたことを特徴とするセミリジッド型同軸ケーブル。
IPC (2件)：
H01B 11/18
, H01B 13/00 553
H01B 11/18 D
, H01B 13/00 553 Z
