特許
J-GLOBAL ID：200903055865925691
AlN単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315653
公開番号（公開出願番号）：特開2005-082439
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 比較的大きなAlN単結晶を簡易かつ低コストで製造し得るAlN単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 成分aがCr、Mn、Fe、Co、CuおよびNiから選択された1種以上の金属、成分bがSc、Ti、V、Y、ZrおよびNbから選択された1種以上の金属、成分cがAl、成分dがSiであるabcd系合金であって、成分aのモル濃度Ca、成分bのモル濃度Cb、成分cのモル濃度Ccおよび成分dのモル濃度Cdが、 0.01≦Cb/Ca≦0.1 、0.13≦Cd/Ca≦0.32、0.2 ≦Cc/(Ca+Cb)≦1の関係を満たす組成を有するabcd系合金の融液4を窒素雰囲気下で調製する。そして、窒素雰囲気下に保持したまま、このabcd系合金の融液4を冷却するか、および/またはそれから前記成分aとbの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlN単結晶をSiC単結晶基板2の上に晶出させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成分aがCr、Mn、Fe、Co、CuおよびNiから選択された1種以上の金属、成分bがSc、Ti、V、Y、ZrおよびNbから選択された1種以上の金属、成分cがAl、成分dがSiであるabcd系合金であって、成分aのモル濃度Ca、成分bのモル濃度Cb、成分cのモル濃度Ccおよび成分dのモル濃度Cdが、
0.01≦Cb/Ca≦0.1 、0.13≦Cd/Ca≦0.32、0.2 ≦Cc/(Ca+Cb)≦1
の関係を満たす組成を有するabcd系合金の融液を窒素雰囲気下で調製し、窒素雰囲気を保持したまま、前記abcd系合金の融液を冷却するか、および/またはそれから前記成分aとbの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlN単結晶をSiC単結晶基板上にエピタキシャルに晶出させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077EA01
, 4G077EA06
, 4G077EC02
, 4G077ED06
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA26
, 4G077QA34
, 4G077QA38
, 4G077QA71
