特許

J-GLOBAL ID：200903055873228932

半導体装置

発明者： 堀口 真志 ,  堀 陵一 ,  伊藤 清男 ,  中込 儀延 ,  青木 正和 ,  田中 均
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005452
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301665
出願日： 1988年01月20日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、外部電源電圧VCCが供給され、VCC依存性が小さい第1の電圧と上記第1の電圧よりVCC依存性が大きい第2の電圧とを発生する電圧変換回路を有し、上記第1の電圧と上記第2の電圧とを独立に設定できる半導体装置を提供する。【構成】 上記電圧変換回路は、上記第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と上記第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路とを有し、上記第1の電圧発生回路と上記第2の電圧発生回路の出力トランジスタとの出力端子を共通接続したことを特徴とする。【効果】 上記第1の電圧と上記第2の電圧とを独立に設定でき、内部電源で動作する内部回路の通常動作時の電圧と電圧エージング時の電圧とを独立に設定できる。

請求項（抜粋）：

第1のMOSトランジスタと、上記第1のMOSトランジスタのソース又はドレインに接続された第1の配線と、上記第1のMOSトランジスタのゲートに接続された第2の配線と、外部電源電圧が供給され上記第1の配線に内部電源電圧を供給する電圧変換回路とを有する半導体装置において、上記電圧変換回路は外部電源電圧が第1の所定の電圧よりも高いとき外部電源電圧依存性が小さい第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と、上記第1の電圧よりも外部電源電圧依存性の大きい第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路と、節点と上記外部電源電圧との間にそのソース・ドレイン経路が設けられた第2及び第3のMOSトランジスタと、その出力が第2のMOSトランジスタのゲートに接続された第1の差動増幅器と、その出力が第3のMOSトランジスタのゲートに接続された第2の差動増幅器とを有し、上記第1の差動増幅器の反転入力には上記第1の電圧が入力され、上記第2の差動増幅器の反転入力には上記第2の電圧が入力され、上記第1及び第2の差動増幅器の非反転入力は上記節点と接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G01R 31/28 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

G01R 31/28 V ,  H01L 27/04 B