特許

J-GLOBAL ID：200903055875287537

薄膜積層体、二次電池、及び薄膜積層体の製造方法

発明者： 酒井 仁 ,  本田 和義 ,  稲葉 純一 ,  岡崎 禎之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-287604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127613
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】異なる材料からなる層の界面での密着性が改善された薄膜積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1材料層12と第2材料層14とが積層された薄膜積層体10であって、前記第1材料層12及び前記第2材料層14の積層界面16において、前記第1材料層12及び前記第2材料層14のうちの一方が他方の層内に侵入した侵入構造18を備え、前記侵入構造18において、侵入材料層12が被侵入材料層14を積層方向に挟み込んでいる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1材料層と第2材料層とが積層された薄膜積層体であって、 前記第1材料層及び前記第2材料層の積層界面において、前記第1材料層及び前記第2材料層のうちの一方が他方の層内に侵入した侵入構造を備え、 前記侵入構造において、侵入材料層が被侵入材料層を積層方向に挟み込んでいることを特徴とする薄膜積層体。

IPC (3件)：

H01M10/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

FI (3件)：

H01M10/36 Z ,  C23C14/06 N ,  C23C14/24 G

Fターム (23件)：

4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB14 ,  4K029DB21 ,  4K029HA03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ06 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ06 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029HJ02