プラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011472
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216139
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理装置において、エッチング等の処理を行うウエハ上の磁場強度を300ガウス以下にすることを可能とし、ウエハの中央と外周部のフローティングポテンシャルの差を低下し、エッチング処理を行うウエハのチャージアップダメージをなくすことを可能としたものである。【解決手段】プラズマ処理装置の、エッチング等の処理を行うウエハ10上の磁場強度を、エッチング処理室4内に磁界を供給する磁場供給用コイル6、7及び8を制御することによって、300ガウス以下にすることが可能となり、ウエハの中央と外周部のフローティングポテンシャルの差を低くすることで、エッチング処理しているウエハのチャージアップダメージをなくすことを可能とした。【効果】ウェハ10にエッチング等のプラズマ処理を行う際、ウエハ上の磁場強度を300ガウス以下にすることで、ウエハ上のフローティングポテンシャルの差を小さくし、エッチング等の処理を行うウエハに発生するチャージアップダメージをなくすことができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生装置と、減圧可能なエッチング処理室と、エッチング処理室中に磁場を供給する磁場供給装置と、エッチング処理室にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ処理を施すウエハを保持する試料台と、該試料台上に支持されたウエハに高周波を印加する装置と、真空排気装置より成るプラズマ処理装置において、エッチング等の処理を行うウエハ上の磁場強度を300ガウス以下としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , C23F 4/00 G , H05H 1/46 B

Fターム (13件)：

4K057DD01 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM29 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA06 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB14 , 5F004BB18

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