アクティブマトリックス型液晶表示素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229834
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075246
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 TFTアレイ製造工程で発生する静電気によるTFTや走査線や信号線などの微細部位の破壊や、短絡や断線を抑えて、歩留りが高く製造が簡易で製造コストの低廉なTFTアレイ基板の製造方法を提供する。【構成】ガラス基板1主面上にゲート電極5に用いるような配線層の膜を残して静電気吸収パターン7とし、この静電気吸収パターン7を通して、ガラス基板1の主面上に発生した電荷を一部分に集中的に蓄積させることなく分散させ、あるいはさらに空気中に放電して逃がすことにより、TFT10の静電破壊や、走査線3および信号線11の短絡や断線などの欠陥の発生を避けて、TFTアレイ基板35を高い歩留りで提供できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の主面上に、ゲート電極および走査線を有する第1の配線層と、半導体活性層と、ソース電極およびドレイン電極および信号線を有する第2の配線層とを有するトランジスタ素子を配設し、該トランジスタ素子のソース電極またはドレイン電極に接続される画素電極を配設してトランジスタ素子基板を形成し、対向電極を有する対向基板を前記トランジスタ素子基板に対向配置し両基板間に液晶組成物を封入挟持させて液晶セルを形成するアクティブマトリックス型液晶表示素子の製造方法において、前記絶縁性基板の主面上に、第1の配線層および第2の配線層のうち前記絶縁性基板の主面の表面に近い方の配線層と同層で同材料からなる静電気吸収パターンを、前記液晶セル部分を避けて配設し、前記絶縁性基板の主面上に帯電する静電気を前記静電気吸収パターンにより吸収させ、前記液晶セルを形成した後に前記パターンを含む部分の前記絶縁性基板と前記液晶セル部分とを切り離すことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示素子の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-081975
特開平4-130417
特開昭62-252964

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