特許

J-GLOBAL ID：200903055886572926

半導体装置の製造装置

発明者： 原田 佳尚 ,  杉原 康平 ,  松永 利之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068962
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270596
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 大気と絶縁された雰囲気でクラスタリングされた製造装置を用いた製造工程中における半導体基板と、その上に形成された膜の界面、膜中、表面及び膜厚の特性管理に関する。【解決手段】 クラスタリングされた半導体製造装置の構成において、大気と遮断された減圧もしくは、乾燥した高純度窒素ガスにより満たされた筐体1は、ウエハ搬送用アームロボット2を含む。サンプル導入用のイントロ室3、ゲート前洗浄室4、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉5、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉6、物理分析室7、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室8と接続され、上記物理分析室7はスペクトル解析装置9と繋がっている。ウエハ表面が大気暴露などにより酸化されず、一連の処理の途中でウエハ表面状態を物理評価モニタリングでき、特異な製造工程の管理が可能となる。

請求項（抜粋）：

複数の処理室を含む空間を、大気から遮断した雰囲気に維持するように取り囲む共通容器と、上記共通容器内でウエハを搬送するための搬送手段と、上記共通容器内のいずれかの部位にウエハを設置した状態で、上記ウエハの表面状態をエリプソメトリー法により膜厚評価するための手段とを備えてクラスタリングされていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 14/54 C ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66 P

Fターム (33件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029EA01 ,  4K029KA09 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA01 ,  4K030KA28 ,  4K030KA39 ,  4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106AB02 ,  4M106BA04 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CA51 ,  4M106CA70 ,  4M106DG05 ,  4M106DH03 ,  4M106DH08 ,  4M106DH25 ,  4M106DH34 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F045GB11 ,  5F045GB13 ,  5F045HA25