特許
J-GLOBAL ID：200903055887073931
ガイド溝付き光導波路の製作方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171141
公開番号（公開出願番号）：特開平7-072347
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 調心作業を必要とせず、コアとガイド溝の相対的位置精度が高い光導波路を製作できるようにする。【構成】 シリコン基板1の上面2に溝3を形成し、上面2及び溝3の上にバッファ層4を形成し、その上にコア層5を形成し、コア層5の表面にコアパターンとガイド溝パターンが表示されたフォトマスクを重ねてコア層5に転写してコア層5に同パターンと同じ形状のマスク材を形成し、シリコン基板1のうちマスク材でマスクされない部分をエッチングしてガイド溝縁6とコア7を形成し、同基板1をエッチングして隣合うガイド溝縁6の内側にガイド溝8を形成し、その上にクラッド層9を形成し、クラッド層9のうちコア7の外側を残し他の部分を除去してコア7の外側にクラッド10を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)の上面(2)に溝(3)を形成する工程、同上面(2)及び溝(3)の上にバッファ層(4)を形成する工程、同バッファ層(4)の上にコア層(5)を形成する工程、同コア層(5)の表面にコアパターンとガイド溝パターンとが表示されたフォトマスクを重ね且つそれらのパターンをコア層(5)に転写してコア層(5)の上に同パターンと同じ形状のマスク材を形成する工程、シリコン基板(1)のうちマスク材でマスクされない部分をエッチングしてエッチングされない部分にガイド溝縁(6)とコア(7)とを形成する工程、シリコン基板(1)をシリコン異方性エッチングして同シリコン基板(1)の隣合うガイド溝縁(6)の内側にガイド溝(8)を形成する工程、同ガイド溝(8)とガイド溝縁(6)とコア(7)の上にクラッド層(9)を形成する工程、クラッド層(9)のうちコア(7)の外側部分を残して他の部分を除去してコア(7)の外側部分にクラッド(10)を形成する工程を備えたことを特徴とするガイド溝付き光導波路の製作方法。
IPC (3件)：
G02B 6/30
, G02B 6/122
, G02B 6/13
G02B 6/12 A
, G02B 6/12 M
