特許

J-GLOBAL ID：200903055887899317

半導体チップとその製造方法

発明者： 古川 千里 ,  石川 正行 ,  新田 康一 ,  菅原 秀人
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343350
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190057
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 サファイア基板表面に窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体チップの製造方法において、より容易で歩留まりの高いチップ分離の方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板30の表面もしくは裏面の各チップの境界線に相当する位置に、尖鋭な溝先を有する分離溝40を形成する。その後この分離溝を凝固もしくは加熱により体積が増加する液状の緩衝材50を埋める。この緩衝材を凝固もしくは加熱することで、緩衝材50の体積増加に伴い分離溝内に発生した外向きの力を尖鋭な溝先に集中させ、そこから基板30を破断分離する。基板は分離溝40に沿って、個々のチップに分離される。

請求項（抜粋）：

基板表面に単数もしくは複数の半導体層を形成する工程と、前記基板をチップごとに分離するチップ分離工程とを有する半導体チップの製造方法において、前記チップ分離工程が、前記半導体層を含む基板表面、もしくは基板裏面のいずれか一方の面の各チップの境界線上に、尖鋭な溝先を有する第1分離溝を形成する工程と、前記第1分離溝を、凝固により体積が増加する特性を有する液状の第1緩衝材で埋める工程と、基板表面もしくは基板裏面のうち前記第1分離溝が形成された一方の基板面上に剛性の板状体を固定し、前記基板を前記第1緩衝材の凝固点以下の温度に冷却する工程とを有する半導体チップの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 27/12 S ,  H01L 21/78 Q