特許

J-GLOBAL ID：200903055888617080

疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム

発明者： 北野 淳一 ,  羽田 敬子 ,  小野 優子 ,  片野 貴之 ,  松井 英章
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106515
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291655
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 例えばレジストパターン形成装置において、基板表面の疎水性を高い信頼性で調べ、疎水化処理条件を最適化すること。【解決手段】 ウエハW表面にHMDSガスを供給して疎水化処理を行い、この後ウエハWをカセットステージ21上の密閉容器6内に収納し、レジストパターン形成装置A1の外部の分析装置A2まで搬送する。分析装置A2では例えばTOF-SIMSなどの分析部においてウエハW表面の例えばCH3Si+,C3H9Si+,C3H9OSi-等のイオン種の量を質量分析し、これによりウエハW表面のHMDS量(ヘキサメチルジシラザン)の測定を行う。このような手法では、ウエハW表面のHMDS量が測定できて、疎水化処理状態の信頼性の高い評価を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板表面に疎水化処理ガスを供給して当該表面の疎水化処理を行う疎水化処理部と、基板表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光が行われた基板の表面に現像液を供給して現像を行う現像処理部と、を備えたレジストパターン形成装置において、前記疎水化処理部における疎水化処理状態を評価する方法において、分析部において、疎水化処理後の基板表面の疎水化処理ガスの成分を検出し、これにより当該基板表面の疎水化処理ガスの相対検出値の測定を行う分析工程と、疎水化処理後の基板を前記分析部に搬送する搬送工程と、を含むことを特徴とする疎水化処理の評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/62 ,  G03F 7/26 501

FI (4件)：

G01N 23/225 ,  G01N 27/62 V ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 563

Fターム (16件)：

2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001KA12 ,  2G001LA11 ,  2G001PA01 ,  2G001PA02 ,  2G001PA12 ,  2G001PA14 ,  2G001PA16 ,  2G001RA03 ,  2G001RA08 ,  2H096AA25 ,  2H096CA02 ,  5F046HA01 ,  5F046HA02