特許
J-GLOBAL ID：200903055891780693
バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010051
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224199
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 金属バンプの形成工程が極めて簡単、かつ短時間で行え、バンプ形成に伴う設備費が極めて安価にできるバンプ形成方法を得る。【構成】 バンプ粒子受けプレート6上の複数の凹部7に粒子状の半田バンプ8を載せ、半導体基板1の電極パッド2上のバリアメタル膜3をバンプ粒子受けプレート6上のそれぞれ対応する半田バンプ8に重ね合わせ、半導体基板1を加熱し、溶融した半田バンプ8をバリアメタル3側に溶着形成させる。
請求項（抜粋）：
バンプ粒子受けプレート上に所要配列に複数の凹部を形成し、これら上記凹部のうち、半導体基板に設けた電極パッド上のバリアメタル膜と対応する位置の凹部に粒子状の金属バンプを載せ、上記半導体基板を上下反転し、上記バリアメタル膜を上記バンプ粒子受けプレート上のそれぞれ対応する金属バンプに重ね合わせ、上記半導体基板を加熱し、溶融した上記金属バンプを上記バリアメタル側に溶着形成させることを特徴とするバンプ形成方法。
引用特許：
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