特許
J-GLOBAL ID：200903055894786498

半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス。

発明者：
吉川 明彦

吉川 明彦 について

, 
伊藤 茂生

伊藤 茂生 について


出願人/特許権者：
吉川 明彦

吉川 明彦 について

, 
双葉電子工業株式会社

双葉電子工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-071746
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270525
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】本発明は、GaNやZnOなどの3-5族または2-6族半導体表面の極性を従来のanion表面から、よりスムースで不活性なcation表面に転換させることにより、その表面が電気的、光学的特性に大きな影響を与えるデバイスの特性向上を図る方法を提供する。【解決手段】サファイア基板上にエピタキシャル成長した3-5族または2-6族半導体膜の内部に、Alなどの金属の数monolayers程度の厚さの膜を形成することにより、その上下で、半導体表面の極性を従来の負(anion)から正(cation)に転換、その正極性を前記エピタキシャル成長薄膜や優先配向性の多結晶薄膜などに形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にエピタキシャル成長した半導体薄膜を形成するにあたり、少なくとも該半導体薄膜の一部に数モノレイヤーのAlを含み、前記半導体薄膜の一部が単結晶または前記基板に対して優先配向した多結晶の構造をもつことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/28 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/28 A ,  H01L 33/00 C
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BB07 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AB22 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045EB15 ,  5F045HA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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