特許

J-GLOBAL ID：200903055901182900

固体撮像素子

発明者： 小野 秀行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061609
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275809
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】垂直CCDを覆うように設けられたN型層を画素部全面に形成したとき、ホトダイオードに蓄えられた信号電荷が垂直CCDに漏れ込んでしまう欠点をなくす。【構成】読み出し部でパルチスルー読み出し方式を維持しながらアイソレーション用P型層と垂直CCDチャンネル層との間の距離を、アイソレーション部よりも読み出し部の方を長くとる。【効果】アイソレーション部分でP型濃度が濃くなり、アイソレーションが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に設けられた前記半導体基体とは逆導電形のウェル層内に形成した光電変換素子及びスイッチ素子からなる画素のアレーと、前記画素のアレーを走査する水平及び垂直走査素子と、前記垂直走査素子を覆うように形成された前記ウェル層と同導電型の第1拡散層を有し、前記画素のアレー及び前記垂直走査素子の領域の前記ウェル層上に前記ウェル層と逆導電型の複数の不純物層群を有し、前記垂直走査素子は半導体基体と同導電型の第2拡散層をもち、前記光電変換素子は半導体基体と逆導電型の第3拡散層を有する固体撮像素子において、前記第3拡散層と前記第2拡散層間の距離が前記第3拡散層と隣接する前記垂直走査素子内の前記第2拡散層間の距離が等しくなく、かつ、このうち長い方の距離が前記第2拡散層の拡散深さと前記第3拡散層の拡散深さを加えたものよりも短いことを特徴とする固体撮像素子。