特許

J-GLOBAL ID：200903055901485261

半導体装置

発明者： 棚橋 成夫
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230178
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077395
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の作動温度領域において誘電体層の静電容量を高めること。【構成】 半導体装置1は、電源端子9aと接地端子9bとを有する半導体素子2と、電源端子9aにボンディングワイヤ8及びリード端子6aを介して接続された電源プレーン4と、接地端子9bにボンディングワイヤ8及びリード端子6bを介して接続されかつ電源プレーン4と間隔を隔てて配置された接地プレーン3と、接地プレーン3と電源プレーン4との間に配置された誘電体層5とを主に備えている。誘電体層5は、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム及び錫酸バリウムからなる群から選ばれた少なくとも1種を5〜20モル%含むチタン酸バリウム粉末が分散された耐熱樹脂製である。この誘電体層5は、キュリー点が半導体素子2の作動温度領域内にあるため、半導体素子2の作動温度領域において静電容量が大きい。

請求項（抜粋）：

電源端子と接地端子とを有する半導体素子と、前記電源端子に接続された電源プレーンと、前記接地端子に接続されかつ前記電源プレーンと間隔を隔てて配置された接地プレーンと、前記電源プレーンと前記接地プレーンとの間に配置された、チタン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム及び錫酸バリウムからなる群から選ばれた少なくとも1種を5〜20モル%含むチタン酸バリウム粉末が分散された耐熱樹脂製の誘電体層と、を備えた半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01G 4/20

FI (3件)：

H01L 23/12 B ,  H01L 23/14 R ,  H01L 23/30 B