特許

J-GLOBAL ID：200903055903694178

不揮発性半導体記憶装置の制御方法

発明者： 辻 直樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183699
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031394
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 トンネル絶縁膜の膜質の劣化を防止し、不揮発性半導体記憶装置の信頼性の低下を防止し得る、不揮発性半導体記憶装置の制御方法を提供する。【解決手段】 フローティングゲート6と、トンネル絶縁膜5と、ソース領域3とドレイン領域2とコントロールゲート8とを備える不揮発性半導体記憶装置において、トンネル絶縁膜5に電子を注入するステップの後に、フローティングゲート6に電子を注入するステップを実施する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートと、トンネル絶縁膜と、第1および第2のソース/ドレイン領域と、コントロールゲートとを備える不揮発性半導体記憶装置の制御方法であって、前記トンネル絶縁膜に電子を注入するステップと、前記トンネル絶縁膜に電子を注入するステップの後に、前記フローティングゲートに電子を注入するステップとを含む、不揮発性半導体記憶装置の制御方法。

IPC (5件)：

G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 621 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371