特許
J-GLOBAL ID：200903055904877977
窒化物系化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053048
公開番号（公開出願番号）：特開平11-246297
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：
【要約】【課題】GaN等の窒化物系化合物のバルク結晶成長を行うに際し、原料粉末または多結晶の分解が起こりにくくし、効率よく高品質なバルク結晶を得ることを可能とする。【解決手段】少なくともIII 族金属元素と窒素元素とを原料に含む系から、一旦、窒化物系化合物半導体を合成し(工程A)、さらに、得られた窒化物系化合物半導体を原料にして、該窒化物系化合物半導体の単結晶を成長(工程C)する方法において、単結晶成長工程(工程C)に先立ち、原料となる窒化物系化合物半導体から水素を除去する工程(工程B)を含ませる。
請求項（抜粋）：
少なくともIII 族金属元素と窒素元素とを原料に含む系から、一旦、窒化物系化合物半導体を合成する工程と、この合成された窒化物系化合物半導体から水素を除去する工程と、この水素を除去して得られた窒化物系化合物半導体を原料にして、窒化物系化合物半導体の単結晶を成長する工程とを含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (5件)：
C30B 23/02
, C30B 9/06
, C30B 19/00
, C30B 29/38
, H01L 33/00
C30B 23/02
, C30B 9/06
, C30B 19/00 Z
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
