特許

J-GLOBAL ID：200903055906253822

半導体装置の配線構造およびその製造方法

発明者： 粟屋 信義 ,  小林 敏夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092649
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 銅配線の半導体基板への密着性および耐腐食性を向上させる。【解決手段】 半導体基板1の絶縁膜2上にスパッタリング法により、高融点金属膜3a,銅膜4,高融点金属膜3bの多層膜を形成した後、高融点金属膜3b上にマスクとしての絶縁膜5を形成し、高融点金属膜3aと高融点金属膜3bと銅膜4とをリソグラフィー法およびドライエッチング法を用いて銅配線を形成する。次に銅配線が形成された絶縁膜2上に銅膜4の膜厚の約2%以下の厚さの薄いアルミニウム膜6を堆積する。次に約350°Cで5分程度の熱処理により、銅膜4の両側面の表面上でアルミニウム銅合金膜7を形成する。次に絶縁膜2および絶縁膜5上のアルミニウム膜6を希弗酸または燐酸によりエッチング除去して銅膜4の両側面がアルミニウム銅合金膜7で覆われた銅配線構造が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された銅配線の少なくとも一部がアルミニウム銅合金膜で覆われたことを特徴とする半導体装置の配線構造。