基板装置及びその製造方法並びに電気光学装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124572
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076365
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、TFTが形成された基板装置において、良好なトランジスタ特性を長期に亘って維持し、更に湿度、温度等の使用環境の影響を受け難くする。【解決手段】基板上に、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層を形成し、この上に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜を形成する。その後、窒素原子をゲート絶縁膜内に導入し、該酸化シリコン膜内及び該酸化シリコン膜と半導体層との界面のうち少なくとも一方に窒素原子が存在するように構成する。その後、ゲート絶縁膜上にゲート電極膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成されておりソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層と、少なくとも前記チャネル領域における前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜とを備えており、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜からなり、該酸化シリコン膜内及び該酸化シリコン膜と前記半導体層との界面のうち少なくとも一方に窒素原子が存在していることを特徴とする基板装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/324 Z , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 F , H01L 21/265 W

Fターム (41件)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092MA08 , 2H092NA11 , 2H092NA21 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF07 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN42 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN72 , 5F110NN73

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