特許

J-GLOBAL ID：200903055908815283

液晶画像表示装置および画像表示装置用半導体装置の製造方法

発明者： 川▲崎▼ 清弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051572
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250065
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 広視野角の表示が可能なIPS方式の液晶パネルにおいて、画像の焼き付けや残像が生じないようにする。【解決手段】 ガラス基板2の一主面上に、ゲート電極11と対向電極40とを選択的に形成し、ガラス基板2の全面にシリコン窒化層30と、不純物をほとんど含まない第1の非晶質シリコン層31と、第2の絶縁層32との3種類の薄膜層を順次被着する。そして、ゲート電極11上の第2の絶縁層32を、ゲート電極11よりも細く選択的に残し、第1の非晶質シリコン層31を露出してから、不純物を含む第2の非晶質シリコン層33を被着する。次に、開口部42を形成してガラス基板2の一主面を露出する。さらに耐熱バリア金属層34を被着し、その上にパシベーション絶縁層37を被着してドレイン電極21と、信号線も兼ねるソース電極12と、絵素電極41とを選択的に形成する。

請求項（抜粋）：

一主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを少なくも各々1個備えた単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板を有し、第1の透明性絶縁基板と第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル部に該チャンネル部を保護する第1の絶縁層を形成し、この第1の絶縁層の一部を含んで形成されたソース配線とドレイン配線とを少なくとも耐熱金属層またはシリサイド層を含む1層以上の金属層により形成し、前記ソース・ドレイン配線上に第2の絶縁層を形成し、前記絵素電極と対向電極の大部分を、前記第1の透明性絶縁基板上に形成されたゲート絶縁層の開口部内に配置したことを特徴とする液晶画像表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

Fターム (19件)：

2H092GA14 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA05 ,  2H092KA09 ,  2H092KA24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA24 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092PA08 ,  2H092PA11 ,  2H092QA06