特許

J-GLOBAL ID：200903055910392993

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井上 武明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174125
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021229
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】外部よりレーザー光により切断しうる領域(ヒューズ開孔部形成領域)を有する半導体装置において、ヒューズ開孔部形成領域Bにおいて少なくとも表面保護膜の最下層膜6の一層を除去せず、半導体装置の耐湿性の向上をはかる半導体装置の表面保護膜の構造及びその製造方法を提供する【構成】複数層よりなる表面保護膜の除去を必要とする半導体装置表面上の幾つかの領域にあって、ある領域では表面保護膜の全層が除去され、またある領域では下方の数層は除去されずに保護膜を構成している、といったように、領域によって表面保護膜の除去が異なる。【効果】半導体装置の内部に構成された層間絶縁膜の、外気雰囲気への露出を防止し、及び、他の膜の形成工程における、層間絶縁膜の削れを防止し、半導体装置内部の金属配線の、外気雰囲気による腐食の発生頻度を低減することができる。

請求項（抜粋）：

表面保護膜が二層膜以上の複数層からなり、内部配線を、表面保護膜の一領域が取り除かれた部分を通して外部よりレーザー光により切断しうる領域(ヒューズ開孔部形成領域)を有する半導体装置において、前記ヒューズ開孔部形成領域は、少なくとも前記表面保護膜の最下層一層を有し、かつ半導体装置の内部配線を外部に接続する電極形成領域においては、表面保護膜の全層が除去されている構造からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/90