半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013638
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】多ピンの半導体装置のプリント基板への半田実装時に良好な半田付性をもった外部リードを提供する。しかも、200°C以下の低温半田付実装に適する。【構成】半導体装置の外部リード1の構成は、下地にスズ鉛合金めっき2を施し、その上にスズビスマス合金めっき3を施してあり、かつ、そのエリアは外部リード1の全域ではなく下地めっきよりも狭い一部分である。

請求項（抜粋）：

外部リードの下地にスズめっきとスズ鉛合金めっきとのうちのいずれか一方のめっきを施し、その上に下地めっき範囲よりも狭い範囲のスズとビスマスを含有する合金めっきとスズとインジウムを含有する合金めっきとのうちのいずれか一方の合金めっきを施したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-187654
特公昭58-027357

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