微細パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053331
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】断面形状が矩形の優れたレジストパターンを形成する。【構成】半導体基板1上に、酸触媒反応を利用したネガ型レジスト(化学増幅ネガ型レジスト)2を塗布し、エキシマレーザ光4を用いて露光する。これを純水で処理してレジスト2表面の酸を取り除く。つぎに加熱(PEB)してもレジスト2表面付近では架橋反応が起こらないので、アルカリ現像することにより、レジストパターン上部も未露光部と同様に溶解する。こうしてレジストパターン5の断面が矩形となり、後続のエッチング工程において高精度の微細加工が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に、酸触媒反応を利用する化学増幅ネガ型レジストを塗布する工程と、前記レジストを露光したのち、前記レジスト表面を中和する工程とを含む、微細パターンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/038 505 , H01L 21/027 , H01L 21/302

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