特許
J-GLOBAL ID：200903055921086665
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下田 容一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218431
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 ゲート酸化膜を破壊することがなく、信頼性の高い電界効果トランジスタを提供すること。【構成】 絶縁層1上にシリコン(Si)に不純物を注入してなるソース領域2とドレイン領域3を形成し、これらソース領域2とドレイン領域3間を不純物が殆ど含まれないチャネル領域4とし、このチャネル領域4上にSiO2等のゲート酸化膜5を介してゲート領域6を設け、前記ソース領域2とドレイン領域3はその厚みがチャネル領域4の厚みよりも薄く、ソース領域2とドレイン領域3の上面がチャネル領域4の上面よりも下がった位置にある。
請求項（抜粋）：
絶縁体上にシリコン(Si)層を形成し、このシリコン層に不純物を注入してソース領域及びドレイン領域を形成した電界効果トランジスタにおいて、前記ドレイン領域の厚みをチャネル領域の厚みよりも薄くしたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
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