特許
J-GLOBAL ID：200903055922933019

光半導体素子及びその製造方法並びに光半導体装置

発明者：
斉藤 和徳

斉藤 和徳 について

, 
濱田 博

濱田 博 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-094854
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278661
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のAu層のAuが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。【解決手段】 n型半導体基板上にn型バッファ層,n型第1クラッド層,活性層,p型の第1の第2クラッド層,p型エッチストップ層,p型の第2の第2クラッド層,p型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第2の第2クラッド層の底まで分離溝が2本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第2の第2クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の面及びこの第1の面の反対面となる第2の面を有する第1導電型からなる半導体基板と、 前記半導体基板の第1の面上に形成され、第1導電型の半導体層からなる第1クラッド層と、 前記第1クラッド層上に形成される活性層と、 前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなる第2クラッド層と、 前記第2クラッド層上に形成され、第2導電型の半導体層からなるコンタクト層と、 前記コンタクト層の上面から前記第2クラッド層の中層に亘って設けられ、前記コンタクト層及び前記第2クラッド層をそれぞれ分離する並列配置の2本の分離溝と、 前記2本の分離溝に挟まれるストライプ状のリッジと、 前記コンタクト層の前記分離溝に臨む側部には、前記分離溝に向かって徐々に側部の厚さが薄くなるように上面に斜面が設けられ、 前記半導体基板の前記第1の面側において、 前記リッジの前記分離溝に臨む各側面から前記分離溝を含みかつ前記分離溝を越えて前記半導体基板側縁に至る部分を覆う絶縁膜と、 前記リッジを構成する前記コンタクト層部分及び前記絶縁膜を覆う金属からなるバリアメタル層と、 前記バリアメタル層上に形成される第1の電極と、 前記半導体基板の前記第2の面に形成される第2の電極とを有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (22件)：
5F173AA08 ,  5F173AF72 ,  5F173AF75 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH08 ,  5F173AH47 ,  5F173AK08 ,  5F173AK14 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP17 ,  5F173AP24 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP38 ,  5F173AR91 ,  5F173AR96 ,  5F173MB05 ,  5F173MD12 ,  5F173MD16 ,  5F173ME22
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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