特許
J-GLOBAL ID：200903055923396254
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067675
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路の特性を安定化させ、製造歩留を向上させるトレンチアイソレーションの製造方法を提供する。【構成】絶縁膜をマスクとして形成したSi溝104にエッチバックによりボロンを含むシリケートガラス102,105を充満させる工程と、CVD法によりSi膜を堆積した後、熱処理を行ない選択的にSi膜中にボロンを拡散させる工程と、アルカリ水溶液によりSi膜のボロンの拡散していない部分を選択的に除去する工程と、選択的に残したSi膜を熱酸化により酸化膜に変換する工程を含む。但し、ボロンを含むシリケートガラス膜中のボロン濃度は、2mol% 以上18mol% 以下であること、また他の不純物としてリン,ヒ素を同時に添加する場合には、リン,ヒ素濃度を4mol% 以下にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第一の絶縁膜を形成する第一の工程と、マスク工程によって前記第一の絶縁膜を所定の幅に加工すると共に、前記半導体基板内に前記所定の幅で所定の深さに凹部を設け、前記凹部の側面と底面に第二の絶縁膜を形成する第二の工程と、硼素を含んだシリケートガラスを前記所定の深さ以上の厚みで堆積し、熱処理により前記シリケートガラスをリフローさせる第三の工程と、前記シリケートガラスの膜厚が前記凹部の深さ以下の厚さになるまでエッチバックする第四の工程と、Si膜を堆積した後、熱処理を行ない、前記シリケートガラスから前記Si膜中へ不純物を拡散させる第五の工程と、アルカリ水溶液により前記Si膜の不純物が拡散していない領域を選択的に除去した後、残った前記Si膜を酸化してSi酸化膜に変換する第六の工程を含んで素子分離領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, H01L 21/31
