特許

J-GLOBAL ID：200903055929257957

半導体装置

発明者： 村上 功治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319366
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151846
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】高不純物濃度の基板上に堆積した低不純物濃度層に形成される高周波用半導体装置、例えば横型MOSFET等では、チップ表面の電極を裏面の前記高濃度基板を介して接地して使用することが多い。従来はリード線或いは低濃度層を貫通する高不純物拡散層を設け、表面電極を裏面に取り出していたが、電極取り出し用リードまたは導電体の抵抗やインダクタンス増加により高周波特性が劣化し、必要なチップ面積も増加するという課題があった。【構成】チップ表面から低濃度層を通り高濃度の基板に達するアスペクト比が 1より大きい溝を掘り、導電性物質で溝を埋め込むか溝の内面を被覆して、チップ上の電極と高濃度基板とを接続することにより、前記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の半導体基板と、この基板上に形成された低不純物濃度の半導体層と、この半導体層上に絶縁膜を介しまたは直接形成される電極と、前記絶縁膜または前記半導体層の表面から前記半導体層を通り前記半導体基板に達する幅よりも深さの大きい溝と、この溝の側壁及び底面に形成され若しくは溝を埋め込んで形成され、かつ前記電極と前記高不純物濃度の半導体基板とを電気接続する導電性物質層とを、具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/80 U

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-055960
  
• 特開平4-150070
  
• 特開昭63-237471
  
• 特開平4-159719