特許

J-GLOBAL ID：200903055930172272

配線およびその形成方法

発明者： 春田 亮 ,  西原 晋治 ,  谷垣 幸男 ,  加藤 登季男 ,  鈴樹 正恭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175346
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 W配線を有する半導体装置において、W配線と拡散層とのコンタクト抵抗を低減させ、特性を向上させる。【構成】 W配線と拡散層との接続を行なうコンタクトホ-ル開孔後、TiW膜を形成し、600〜750°Cの熱処理を行ない、その後、W配線を形成することにより、W配線と拡散層との間にTiとWとSiとの3元合金(TiW)Si層を形成させる。【効果】 W配線を有する半導体装置において、W配線と拡散層とのコンタクト抵抗を低減でき、半導体装置の応答速度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板上に形成される配線において、該シリコン半導体基板上に形成された絶縁膜上にチタンタングステンとタングステンとの積層配線を形成するとともに、該積層配線が上記シリコン半導体基板との接続部においてはチタン、タングステン、シリコンの3元合金との積層構造とされることを特徴とする配線。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205