特許

J-GLOBAL ID：200903055936045949

半導体露光装置

発明者： 佐伯 瑞穂
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102008
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 不定外乱によるエラーに対し、自動的に正常シーケンスへ回復可能な半導体製造装置を提供する。【構成】 レチクル原板上に描かれたパターンをウエハ上に配列された複数の領域に投影光学系を介し投影するに先立ち上記レチクル原板に対してウエハの位置合わせを行う半導体露光装置において、位置合わせおよび露光シーケンスにおいて計測不能または計測値の異常が発生した場合(303、306)、異常発生回数に応じて自動的に前ステップ(301、302)に戻る。

請求項（抜粋）：

レチクル原板上に描かれたパターンをウエハ上に配列された複数の領域に投影光学系を介して順次投影するに先立ち上記レチクル原板に対してウエハの位置合わせを行う半導体露光装置において、位置合わせおよび露光シーケンスにおいて計測不能または計測値の異常が発生した場合、異常発生回数に応じて自動的に前ステップに戻ることを特徴とする半導体露光装置

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 301 G