特許

J-GLOBAL ID：200903055936555378

ヒータステージ

発明者： 岩田 浩一
出願人/特許権者： 東洋通信機株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150313
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 焦電性基板上にバンプを形成する場合のように、高温加熱する必要がある場合に、ヒータステージの占有時間を長期化することによる生産性の低下を招くことなく、室温から所定の高温に達するまでの昇温、或は室温に戻る際の降温を段階的にし、且つ温度傾斜を緩やかにすることにより、焦電性基板に分極電圧が形成されることと、分極電圧による電位差に起因した基板の破損や、表面のパターンの短絡等を有効に防止することができるヒータステージを提供する。【解決手段】 所定の配置で配列され、且つ夫々異なる温度に設定された複数のヒータブロック1a,1b,1c,1dと、各ヒータブロック上に順次焦電性基板を移送する移送手段4、5と、を備えたヒータステージであって、段階的に昇温、或は/及び降温するように温度設定された各ヒータブロック上に焦電性基板を順次載置、移送する動作を実施することにより、焦電性基板を段階的に昇温、或は/及び降温する。

請求項（抜粋）：

所定の配置で配列され、且つ夫々異なる温度に設定された複数のヒータブロックと、各ヒータブロック上に順次焦電性基板を移送する移送手段と、を備えたヒータステージであって、段階的に昇温、或は/及び降温するように温度設定された各ヒータブロック上に焦電性基板を順次載置、移送する動作を実施することにより、焦電性基板を段階的に昇温、或は/及び降温することを特徴とするヒータステージ。

IPC (2件)：

H01L 41/22 ,  H05B 3/00 370

FI (2件)：

H01L 41/22 Z ,  H05B 3/00 370