特許
J-GLOBAL ID：200903055944068125
半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267251
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造におけるコンタクトホールの形成方法に関するもので、深さの異なるホールや下地膜の異なるホールを同時にエッチングする際、下地膜が必要以上に削られたり、ホールの底面積が減少するといった問題点を除去し、かつ1回の工程でエッチングできる方法を提供することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、ホールの孔径が小さいほどエッチングレートが遅くなる現象(マイクロローディング効果)を利用して、深さが異なるホールの場合は深い方のホールの孔径を大きくし、下地膜のエッチングレートが異なる場合はエッチングレートの速い下地膜の方のホールの孔径を小さくするといったように、それぞれのホールの孔径を変えてエッチングするようにした。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造において、同一半導体基板上で、下地膜が同じでかつ深さの異なるコンタクトホールをエッチングで形成する場合、深い方のホールの孔径を浅い方のホールの径孔より大きくすることを特徴とする半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
