特許
J-GLOBAL ID:200903055947757932

アリールアミンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-003298
公開番号(公開出願番号):特開平11-199550
出願日: 1998年01月09日
公開日(公表日): 1999年07月27日
要約:
【要約】【課題】 電子材料用素材、又はその中間体として有用なアリールアミン、特にトリアリールアミン又はジアリールアミンを高純度且つ低コスト(短時間の反応で高収率を得る)で製造すること。【解決手段】 芳香族アミンと芳香族ハロゲン化物とを、イオン化電位8.0〜9.0eVの溶媒中、特定の構造のキレート銅錯体の存在下で反応させるアリールアミンの製造方法。
請求項(抜粋):
芳香族アミンと芳香族ハロゲン化物とを、イオン化電位8.0〜9.0eVの溶媒中、下記一般式(1)で示されるキレート銅錯体の存在下で反応させることを特徴とするアリールアミンの製造方法。[Cu(L)k ]Xm・nH2 O (1)式中、Cuは一価もしくは二価の銅元素を示す。Lは下記一般式(L-1)、(L-2)もしくは(L-3)で示される化合物を示し、kは1〜6の整数を示す。XはOH、Cl、Br、I、NO2 、NO3 、SO4 、ClO4 、BF4 、BF6 、PF6 、SCN、NCS、又はS2 O8 を示し、mは0〜2の自然数を示す。nは0〜10の自然数を示す。【化1】式中、Aは炭素原子、窒素原子、N-オキシド(N→O)を示し、Bは、Bを含む構成部分が5員環または6員環を形成するのに必要な原子団を表す。R1は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールアキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、オキソ基、ヒドロペルオキシ基、カルボキシル基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキシルオキシ基、アシルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アラルキルカルボニルオキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、アシルアルキル基、ニトロ基、ヒドロキシアミノ基、アルキルアミノ基、アシルアミノ基、カルボキシルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、イミノ基、アルキルイミノ基、ヒドロキシイミノ基、アルドキシム基、シアノ基、シアナート基、イソシアナート基、チオソアナート基、イソチオシアナート基、メルカプト基、フリル基、フルフリル基、フロイル基、チエニル基、テニル基、テノイル基、ピリジル基又はキノリル基を示す。R2はハメットのσmとして-0.34〜0.71までの置換基、σpとして-0.84〜0.73までの置換基を示す。m、pは各々1〜3の整数を表す。複数のR1またはR2の各々は同一でも異なってもよい。
IPC (8件):
C07C211/54 ,  B01J 31/22 ,  C07C209/10 ,  C07C211/58 ,  C07C211/60 ,  C07C211/61 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88
FI (8件):
C07C211/54 ,  B01J 31/22 Z ,  C07C209/10 ,  C07C211/58 ,  C07C211/60 ,  C07C211/61 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • 化学便覧基礎編 改訂3版, 19840625, II-576〜582頁

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