特許
J-GLOBAL ID：200903055948824102
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289353
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 GaAs基板101上に、n型GaAs層102、n型ZnSeバッファ層103、n型ZnMgSSeクラッド層104、4層のZn0.8Cd0.2Se井戸層105および5層のZnS0.2Se0.8障壁層106からなる歪多重量子井戸構造107、p型ZnMgSSeクラッド層108、p型ZnSeコンタクト層109が積層されている。S組成比0.2のZnSSe障壁層106を用いたことにより、障壁層にかかる引張り歪が井戸層にかかる圧縮歪を補償するので、歪多重量子井戸構造107およびその近傍にかかる歪はほとんど打ち消されて、総和としては無歪の状態に近くなる。そのため、井戸層105での欠陥発生および増殖が抑制され、素子の信頼性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
歪多重量子井戸構造を備えたII-VI族化合物半導体を有する半導体発光素子であって、井戸層の格子歪とは逆の格子歪を有する障壁層を備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
