特許
J-GLOBAL ID：200903055950337553
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273618
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128360
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】自己診断のための駆動電圧を印加したときセンシングエレメントと電圧印加対象のストッパ間にリーク電流が発生するのを防止した半導体加速度センサを提供するにある。【構成】上部ストッパBの接合面側の周囲にはセンシングエレメントAの半導体基板部と、上部ストッパBの半導体基板部との間の空間距離、沿面距離を十分確保して自己診断時に電流のリークの発生を防止するため凹所10を形成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板を加工して夫々形成した重り部と、前記重り部に一端が一体連結され他端が支持部に一体支持され重り部の動きに連動して撓む撓み部と、前記支持部とから成り、印加された加速度に比例した電圧を出力として取り出す手段を有するセンシングユニット、上記センジングエレメントの上下に夫々位置し、上記支持部と接合され過大加速度が印加されたときに上記重り部が一定値以上変位しないように規制する上部、下部ストッパ、上記センシングエレメントと上記ストッパの何れか一方との間に電圧を印加して重り部と当該ストッパ間に静電力を発生させてセンシングエレメントが正常に機能しているか否かを確認する自己診断手段を備えた半導体加速度センサにおいて、上記自己診断手段による電圧印加対象となるストッパの接合面側の周囲に接合面より低い凹所を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/12
, G01P 21/00
, H01L 29/84
