特許

J-GLOBAL ID：200903055961828079

半導体製造装置における汚染物の洗浄方法

発明者： 片岡 将和
出願人/特許権者： ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036478
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 洗浄能力が比較的に高く、且つ、地球温暖化係数が低く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体製造装置における部品に付着した汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメータ(SP)が5〜15(cal/cm3 )0.5 であるヒドロフルオロカーボンエーテル(HFE)またはヒドロフルオロカーボン(HFC)を含む洗浄液に前記部品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置における部品に付着した汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメータ(SP)が5〜15(cal/cm3 )0.5 であるヒドロフルオロカーボンエーテル(HFE)またはヒドロフルオロカーボン(HFC)を含む洗浄液に前記部品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/30

FI (4件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 641 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/30

Fターム (9件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003ED26 ,  4H003ED29 ,  4H003FA01 ,  4H003FA03 ,  4H003FA15 ,  4H003FA45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 洗浄剤および洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-337013   出願人：株式会社東芝, 東芝シリコーン株式会社

審査官引用 (1件)

• 洗浄剤および洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-337013   出願人：株式会社東芝, 東芝シリコーン株式会社