特許

J-GLOBAL ID：200903055964925830

半導体ディスク装置におけるメモリ障害減少化方法

発明者： 小林 賢治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 山谷 晧榮 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067816
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体デイスク装置におけるメモリ障害減少化方法に関し、パーマネントエラーの発生を出来るだけ回避し、障害の発生率を減少させることを目的とする。【構成】 半導体デイスク装置3において、データのリード/ライト処理を実行する度に、論理ドライブ毎のアクセス回数aをカウントすると共に、1ビットエラーが発生した場合、論理ドライブ毎の1ビットエラー発生回数bをカウントしておき、或る論理ドライブ(Drive i)において、アクセス回数が、所定回数K以上(a≧K)であって、かつ、1ビットエラーの発生率c=b/aが、所定のしきい値Sに達した(c≧S)場合、その論理ドライブ(Drive i)のデータを、アクセス回数aが最も少なく、かつ、1ビットエラー発生回数bの少ないドライブ(Drive j)のデータと交換することにより、半導体メモリ(TM10)の障害発生率を減少させる。

請求項（抜粋）：

記憶媒体として、半導体メモリ(TM10)を使用し、この半導体メモリ(TM10)を、複数の論理ドライブに分割して使用することにより、ディスク装置の入出力処理を、仮想的に実行する半導体デイスク装置において、データのリード/ライト処理を実行する度に、上記論理ドライブ毎のアクセス回数(a)をカウントすると共に、1ビットエラーが発生した場合、上記論理ドライブ毎の1ビットエラー発生回数(b)をカウントしておき、或る論理ドライブ(Drive i)において、アクセス回数(a)が、所定回数(K)以上(a≧K)であって、かつ、1ビットエラーの発生率(c=b/a)が、所定のしきい値(S)に達した(c=b/a≧S)場合、その論理ドライブ(Drive i)のデータを、アクセス回数(a)が最も少なく、かつ、1ビットエラー発生回数(b)の少ないドライブ(Drivej)のデータと交換することにより、上記半導体メモリ(TM10)の障害発生率を減少させることを特徴とした半導体デイスク装置におけるメモリ障害減少化方法。

IPC (4件)：

G06F 3/08 ,  G06F 3/06 306 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 7/00 311