特許
J-GLOBAL ID：200903055967041852
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159059
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008307
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 高電界や紫外線で発生したホットキャリアに起因する特性変動を抑制できる半導体装置を提供する。【構成】 ゲート電極23の側部および低濃度ソース,ドレインとなる不純物拡散層26a,26b上を覆い、かつ窒化膜25の下に形成する酸化膜24を、膜厚6nm以上,20nm以下の熱酸化膜とすることにより、高電界や紫外線で発生したホットキャリアが酸化膜24を通過するのを防ぎ、酸化膜24と窒化膜25の境界にトラップするのを抑制して、半導体装置の特性変動を小さくできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート電極の両側に隣接する前記半導体基板の表面に形成した低濃度ソース・ドレインと、前記ゲート電極を挟んで前記低濃度ソース・ドレインの外側に形成した高濃度ソース・ドレインと、前記ゲート電極の側部および前記低濃度ソース・ドレイン上を覆う酸化膜と、前記酸化膜上に形成した窒化膜とを備えた半導体装置であって、前記酸化膜は、膜厚が6nm以上,20nm以下の熱酸化膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
