特許
J-GLOBAL ID：200903055972828852
ダイヤモンド薄膜を使用した集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111997
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326031
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンドの特性を生かした集積回路を大面積の基板上に形成することができるダイヤモンド薄膜を使用した集積回路を提供する。【構成】 集積回路は、シリコン基板12上に気相合成法により選択的に形成したダイヤモンド薄膜13上に形成されたダイヤモンドデバイス部分と、シリコン基板12上のダイヤモンド薄膜13が形成されていない部分に形成されたシリコンデバイス部分とを有する。そして、前記ダイヤモンドデバイス部分とシリコンデバイス部分とが相互に電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に気相合成法により選択的に形成されたダイヤモンド薄膜上に形成されたダイヤモンドデバイス部分と、前記シリコン基板上のダイヤモンド薄膜が形成されていない部分に形成されたシリコンデバイス部分とを有し、前記ダイヤモンドデバイス部分とシリコンデバイス部分とを相互に電気的に接続して構成されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜を使用した集積回路。
IPC (2件)：
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