特許

J-GLOBAL ID：200903055979301965

エレクトロルミネッセント素子の製造方法

発明者： 柏原 充宏
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 山下 昭彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235767
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045656
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 パターン形成された発光部のエッジ部分と後に積層する異なる発光層との混色を防止し、画素細りを防止するフォトリソグラフィー法によるEL素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基体1上に、発光層4およびフォトレジスト層5をこの順序で形成する工程と、上記フォトレジスト層5に対して、所定の発光部に相当する部分のフォトレジスト層5が残存するように、パターン露光した後、現像する工程と、上記フォトレジスト層5が除去されて露出している発光層4を除去することにより表面がフォトレジスト層5により覆われた発光部4′を形成する工程と、上記基体1上に上記発光部4′を覆うようにフォトレジスト層5′を形成する工程と、上記発光部4′およびその端部が露出しないように、上記フォトレジスト層5′をパターン露光した後、現像する工程とを有するEL素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

電極層が形成された基体上に、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、前記基体上に複数種類の発光部を形成するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、前記基体上に、発光層およびフォトレジスト層をこの順序で形成する工程と、前記フォトレジスト層に対して、所定の発光部に相当する部分のフォトレジスト層が残存するように、パターン露光した後、現像する工程と、前記フォトレジスト層が除去されて露出している発光層を除去することにより表面がフォトレジスト層により覆われた発光部を形成する工程と、前記基体上に前記発光部を覆うようにフォトレジスト層を形成する工程と、前記発光部およびその端部が露出しないように、前記フォトレジスト層をパターン露光した後、現像する工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A

Fターム (9件)：

3K007AB04 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01