MOSFET及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274360
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251697
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】ソース・ドレイン拡散層とチャネル・カウンター・ドーピング層との間にN型不純物をイオン注入することにより、ゲート電極が制御できる空間電荷を増加させ、ソース・ドレインからチャネルへの多数キャリアの拡散を効果的に抑制する。【構成】埋込チャネル型PチャネルMOSFETにおいて、ソース・ドレイン端のチャネル・カウンター・ドーピング層13の基板表面P型不純物濃度を低下させる構造を有する。

請求項（抜粋）：

埋込チャネル型PチャネルMOSFETにおいて、(a)半導体基体上に形成されるNウェル層と、(b)該Nウェル層上に形成されるP型カウンター・ドーピング層と、(c)該P型カウンター・ドーピング層の両側に形成されるソース・ドレイン拡散層と、(d)該ソース・ドレイン拡散層と前記P型カウンター・ドーピング層との間に前記P型カウンター・ドーピング層よりも低濃度のソース・ドレインと同一導伝型の不純物層を有することを特徴とするMOSFET。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 V , H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-302562
特開昭61-160975
特開平3-250667

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