特許

J-GLOBAL ID：200903055987412660

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 北村 昌太郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160635
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353559
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】大きな前方光出力と良好なサイドモード抑圧特性を有する分布帰還型半導体レーザの歩留まりを向上する。【解決手段】回折格子の一部にλ/4位相シフト構造を有する対称λ/4分布帰還型半導体レーザの後方にパッシブグレーティング導波路を付設し、後方反射率を実効的に大きくして前方出力を向上すると共に、サイドモード抑圧比のばらつきを小さくする。

請求項（抜粋）：

電流注入によりレーザ光を発生する活性層を含む活性導波路層及び回折格子を内包した多層半導体層を有し、前記多層半導体層は電流が注入される活性領域と、電流が注入注入されないパッシブ導波路領域とを有し、前記活性領域は、当該活性領域の回折格子の一部にλ/4位相シフト構造を有し、前記パッシブ導波路領域は、前記活性導波路層の実効的バンドギャップエネルギーが前記活性領域の活性導波路層の実効的バンドギャップエネルギーよりも大きく、且つ、当該パッシブ導波路領域における回折格子の光学的ピッチが前記活性領域の回折格子の光学的ピッチに等しいことを特徴とした半導体レーザ

IPC (2件)：

H01S 5/125 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/125 ,  H01L 21/205

Fターム (24件)：

5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AF04 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA58 ,  5F045DA63 ,  5F045DB01 ,  5F045DB05 ,  5F073AA05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29