特許

J-GLOBAL ID：200903055990272292

MOS型トランジスタおよび半導体装置

発明者： ▲高▼村 孝士
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246562
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150883
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 電流供給能力を発揮するとともに微細化を可能とするMOS型トランジスタおよび半導体装置を提供する。【解決手段】 MOS型トランジスタにおいて、ソース26、ドレイン28およびゲート32の上面に金属シリサイド膜34を形成する。またソース26とドレイン28と同一の導電層で且つ低濃度である第1不純物拡散領域20をソース26とドレイン28にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。さらに第1不純物拡散領域20と逆の導電層である第2不純物拡散領域22を、第1不純物拡散領域20と隣接させるとともにソース26とドレイン28とも隣接させる。このようにMOS型トランジスタを構成すれば、短チャンネル効果を抑えることが可能となり、金属シリサイド膜34によってMOS型トランジスタ自体の直列抵抗の値を低減させ電流供給能力を発揮することができるとともに、トランジスタ自体の微細化を達成することができる。

請求項（抜粋）：

MOS型トランジスタにおいて、ソースおよびドレインの上面に形成された金属シリサイド膜と、前記ソースと前記ドレインにそれぞれ隣接するようゲート下方側に設けるとともに前記ソースと前記ドレインの深さを越えないように浅く設置され、前記ソースと前記ドレインと同一の導電型の不純物を含む第1不純物拡散領域と、当該第1不純物拡散領域にそれぞれ隣接する前記第1不純物拡散領域とは逆の導電型の不純物を含む第2不純物拡散領域とを有することを特徴とするMOS型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 P