特許
J-GLOBAL ID：200903055995143393
InGaAs電界効果型トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105592
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306909
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 GaAs基板およびSi基板上に形成したInGaAsチャネル電界効果型トランジスタを構成を提供する。【構成】 このInGaAsチャネル電界効果型トランジスタは、GaAs基板またはSi基板上に、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSb層(0.3<y≦0.8)とIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(0.2≦x≦0.9)とを順次形成し、少なくともInGaAs層と接する部分のAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSbの格子定数がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層の格子定数と実質的に等しくなされる。【効果】 GaAs基板およびSi基板を用いて、高品質で任意の組成比のInGaAsチャネル層を形成でき、大きなΔEcが実現する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板またはSi基板と、該基板上に順次形成されたAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSb層(0.3<y≦0.8)とIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(0.2≦x≦0.9)を少なくとも具備し、少なくとも前記In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層と接する部分のAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSbの格子定数が、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層の格子定数と実質的に等しいことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
