半導体モジュール及びインバータ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028951
公開番号（公開出願番号）：特開平11-234104
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大電流遮断時のサージ電圧を抑えるとともに通常電流時は高速スイッチングを行うことを目的とする。【解決手段】コレクタ電流の大きさに依存するセンス端子Sからの出力信号に応じて抵抗値が変化するゲート抵抗6を、半導体素子4のゲート端子Gに接続したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

コレクタ端子、エミッタ端子、ゲート端子及びコレクタ電流の大きさに依存する信号を出力するセンス端子を備えた半導体素子を内蔵する半導体モジュールにおいて、前記センス端子の出力信号に応じて抵抗値が変化するゲート抵抗を前記ゲート端子に接続してなることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (3件)：

H03K 17/16 , H02M 1/08 , H02M 7/537

FI (3件)：

H03K 17/16 F , H02M 1/08 A , H02M 7/537 Z

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