特許
J-GLOBAL ID：200903056003411533
三次元磁気センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-162289
公開番号（公開出願番号）：特開2004-012156
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】小型化および量産化に適した構造を得る。【解決手段】シリコンの(100)面を主面とする支持基板100の上面に、異方性エッチング処理を施し、シリコンの(111)面に相当する側面をもった裁頭正四角錐状の溝Gを形成する。表面に酸化膜を形成した後、半導体プレーナプロセスにより、溝Gの斜面に、3つの異方性磁気抵抗素子M11,M12,M13を形成し、必要な配線層を形成する。各素子M11,M12,M13は、IJK非直交座標系における検出軸I,J,Kに沿った磁気成分H(i),H(j),H(k)を電気信号として出力する。溝Gの斜面のなす傾斜角に基く幾何学演算を行うことにより、IJK座標系からXYZ三次元直交座標系への座標系変換演算を行い、直交座標系における磁気成分H(x),H(y),H(z)を得る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
XYZ三次元直交座標系における磁気の各座標軸方向成分を検出するための三次元磁気センサであって、
主面に対して傾斜した斜面を有する支持基板と、
前記支持基板の所定面上に形成された第1の磁気検出素子、第2の磁気検出素子、第3の磁気検出素子と、
三次元ベクトルについて、第1の座標系から第2の座標系への変換演算を行う機能をもった座標系変換部と、
を備え、
前記第1の磁気検出素子は検出対象磁気のI軸方向成分H(i)を検出する機能を有し、前記第2の磁気検出素子は検出対象磁気のJ軸方向成分H(j)を検出する機能を有し、前記第3の磁気検出素子は検出対象磁気のK軸方向成分H(k)を検出する機能を有し、前記3つの磁気検出素子のうちの少なくとも1つを前記斜面上に形成することにより、「I軸,J軸,K軸の3軸すべてが同一平面上に含まれる」ことがないように構成されており、かつ、I軸,J軸,K軸は互いに異なる方向を向いており、
前記座標系変換部は、前記H(i),H(j),H(k)の3軸方向成分で示されるIJK座標系の三次元磁気ベクトルを、互いに直交するX軸方向成分H(x),Y軸方向成分H(y),Z軸方向成分H(z)の3軸方向成分で示されるXYZ三次元直交座標系の三次元ベクトルに変換する演算を行うことを特徴とする三次元磁気センサ。
IPC (5件)：
G01R33/02
, G01R33/07
, G01R33/09
, H01L43/06
, H01L43/08
G01R33/02 L
, H01L43/06 S
, H01L43/06 U
, H01L43/08 S
, H01L43/08 U
, H01L43/08 Z
, G01R33/06 H
, G01R33/06 R
2G017AA02
, 2G017AA03
, 2G017AC09
, 2G017AD53
, 2G017AD55
, 2G017AD61
, 2G017AD65
, 2G017BA02
, 2G017BA09
, 2G017BA11
