半導体装置の製造方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193706
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045684
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法およびその装置において、層間絶縁膜をエッチング除去時に発生する突起部17aをその他の平坦領域を削り取ることなく短時間で除去する。【構成】半導体基板11を回転させながら半導体基板11の表面に沿って固形粒子18をキャリアガスとともに噴射ノズル1より噴射させ、固形粒子18を突起部17aの側壁に衝突させ突起部17aを粉砕する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体基板上に配線と層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線のパターンの反転パターンをもつフォトレジスト膜を前記層間絶縁膜上に形成し該フォトレジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜を所定の深さだけエッチング除去する工程と、このエッチングによる除去工程によって残される該層間絶縁膜の突起物に微小固形粒子を衝突させ除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 301

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 301 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-183943
特開昭62-243341
特開昭63-161643

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