特許
J-GLOBAL ID：200903056009650696
熱電変換素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009770
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209508
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】発電効率の高い熱電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の熱電変換素子は、p型半導体部14と、このp型半導体部14と所定の間隔を隔てて配置されたn型半導体部15と、前記p型半導体部14及びn型半導体部15のそれぞれの一端を接続して設けられた第1の電極13と、前記p型半導体部14の他端に形成された第2の電極11と、前記n型半導体部15の他端に形成された第3の電極12とを具備し、前記p型及びn型半導体部を構成する微結晶が、それらを構成する半導体材料のキャリア拡散長以下の粒径を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
p型半導体部と、このp型半導体部と所定の間隔を隔てて配置されたn型半導体部と、前記p型半導体部及びn型半導体部のそれぞれの一端を接続して設けられた第1の電極と、前記p型半導体部の他端に形成された第2の電極と、前記n型半導体部の他端に形成された第3の電極とを具備し、前記p型及びn型半導体部を構成する微結晶が、それらを構成する半導体材料のキャリア拡散長以下の粒径を有することを特徴とする熱電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 35/32
, H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
H01L 35/32 A
, H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
