特許

J-GLOBAL ID：200903056010378754

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087428
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252129
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 電界効果トランジスタの平面的な面積が同じでもチャネル幅を広くして、微細化と電流駆動能力の向上とを両立させる。【解決手段】 素子活性領域と素子分離領域との境界部で素子活性領域におけるSi基板11の側壁部11bが素子分離領域におけるSiO2 膜13から露出しており、ゲート電極である多結晶Si膜15が素子活性領域におけるSi基板11の表面部11a上及び側壁部11b上を延びている。このため、MOSトランジスタ26、27の平面的な面積が同じでも側壁部11bの長さ分だけチャネル幅が広い。

請求項（抜粋）：

素子活性領域と素子分離領域との境界部で前記素子活性領域における半導体基板の側壁部が前記素子分離領域における絶縁膜から露出しており、前記素子活性領域における前記半導体基板の表面部上及び前記側壁部上をゲート電極が延びていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (5件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/28 V ,  H01L 21/76 N ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 H