特許

J-GLOBAL ID：200903056010914451

半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置

発明者： 池田 真朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235602
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050589
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 手間と時間をかけずに効率よく確実に全てのへき開ラインについて半導体片へと分離できる半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置を提供すること。【解決手段】 へき開ライン26が形成された半導体ウェーハ21が貼り付けられる平らな半導体ウェーハ貼付面22aを有する延伸シート22を、半導体ウェーハ貼付面22aより外周側の部分で保持し、押圧手段27で半導体ウェーハ貼付面22aの裏面側から押圧力を与えて、この半導体ウェーハ貼付面22a全面を曲面状に膨出させて延伸させ、半導体ウェーハ21をへき開ライン26に沿って複数の半導体片21aに分離する。

請求項（抜粋）：

延伸シートに形成された平らな半導体ウェーハ貼付面に、へき開ラインが形成された半導体ウェーハを貼り付け、前記延伸シートを延伸させて前記半導体ウェーハを前記へき開ラインに沿って複数の半導体片に分離する半導体ウェーハの延伸分離方法において、前記延伸シートを、前記半導体ウェーハ貼付面より外周側の部分で保持し、前記半導体ウェーハ貼付面の裏面側から押圧力を与えてこの半導体ウェーハ貼付面全面を曲面状に膨出させて延伸させ、前記半導体ウェーハを前記へき開ラインに沿って複数の半導体片に分離することを特徴とする半導体ウェーハの延伸分離方法。